[发明专利]一种超薄铜箔的制备方法有效
| 申请号： | 202210322975.0 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114672855B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 王翀;刘晓庆;洪延;周国云;陈苑明;王守绪;何为;苏新虹;高亚丽;向铖;车世民 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C25D1/20 | 分类号： | C25D1/20;C25D1/22;C25D1/04;C25D3/38;C25D13/04 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种超薄铜箔的制备方法，属于铜箔制备技术领域。包括：1)载体铜箔依次在微蚀液、酸洗液和去离子水中浸泡；2)上步处理后的载体铜箔在有机溶液中浸泡，形成阻挡层；3)上步处理后的载体铜箔在导电层溶液中浸泡，形成导电层；4)采用电泳的方法在导电层上形成结晶层；5)电沉积，形成超薄铜箔；6)苯并三氮唑溶液中浸泡后，与PCB板压合，固化，机械去除载体铜箔，得到超薄铜箔。本发明采用阻挡层、导电层和结晶层三层结构作为剥离层，得到的超薄铜箔镀层细致平整，很容易使压合后的超薄铜箔与载体铜箔分离，而且，该剥离层既满足了金属层的高导电性，又具备有机剥离层的细致、均匀、平整的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 铜箔 制备 方法 | ||
【主权项】：
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