[发明专利]一种对输入模式不敏感的波导型高响应探测器在审
| 申请号： | 202210321603.6 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114927595A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 武爱民;吴龙生;冯大增;吕东升 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/18;G01D5/30;G01D5/34 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 谢文凯 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种对输入模式不敏感的波导型高响应探测器，其特征在于，自下而上包括衬底硅层、氧化硅埋氧层、硅平板波导；所述硅平板波导上方并排设有第一金属电极、锗波导及第二金属电极；其中所述硅平板波导的一侧设有输入波导。本发明打破了传统波导型探测器输入模式为基模的局限，实现了对输入模式不敏感的探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 输入 模式 敏感 波导 响应 探测器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
