[发明专利]一种对输入模式不敏感的波导型高响应探测器

权利要求书

1.一种对输入模式不敏感的波导型高响应探测器，其特征在于，自下而上包括衬底硅层、氧化硅埋氧层、硅平板波导；所述硅平板波导上方并排设有第一金属电极、锗波导及第二金属电极；其中所述硅平板波导的一侧设有输入波导。

2.根据权利要求1所述探测器，其特征在于，所述硅平板波导和金属电极之间设有金属通孔。

3.根据权利要求1所述探测器，其特征在于，所述硅平板波导表面设有氧化硅包层。

4.根据权利要求1所述探测器，其特征在于，所述输入波导为长方体或正方体。

5.根据权利要求1所述探测器，其特征在于，所述输入波导的宽度大于或等于3μm。

6.一种对输入模式不敏感的波导型高响应探测器的制备方法，包括：

(1)从下而上为衬底硅层、氧化硅埋氧层、顶层硅层的SOI衬底；

(2)刻蚀顶层硅，形成输入波导和平板波导结构；

(3)在顶层硅层上形成锗缓冲层；

(4)锗缓冲层上形成锗层；

(5)在顶层硅部分注入离子，通过热氧化形成氧化硅包层，通过经旋涂光刻胶、曝光、刻蚀形成电极或金属通孔和电极。

7.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于，所述步骤(3)形成锗缓冲层为采用化学气相沉积法，温度为320-450℃生长一层锗缓冲层。

8.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中形成锗层为使用化学气相沉积方法600-850℃生长出锗层。

9.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中形成锗层后使用化学机械抛光的方法将锗层平坦化，经过旋涂光刻胶、曝光、刻蚀降低锗层宽度。

10.一种权利要求1所述一种对输入模式不敏感的波导型高响应探测器的应用。