[发明专利]改善高温刻蚀工艺中首片效应的方法在审
| 申请号： | 202210319328.4 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116936399A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 魏雄飞;王文军;张晓燕;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陶玉龙;陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供的改善高温刻蚀工艺中首片效应的方法，在对晶圆执行高温刻蚀工艺之前，先对工艺腔及晶圆载台进行预加热，使得工艺腔内环境以及晶圆载台快速升温至预设的工艺温度，接下来再将晶圆送入工艺腔执行刻蚀工艺，工艺腔及晶圆载台的温度稳定在预设的工艺温度，对刻蚀液的刻蚀速率影响基本持平，同一批晶圆的刻蚀厚度基本一样，消除了传统高温刻蚀工艺升温阶段产生的首片效应以及工艺误差。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 高温 刻蚀 工艺 中首片 效应 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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