[发明专利]一种等离子体源系统及其使用方法在审
| 申请号： | 202210299145.0 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114864368A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 张朋兵;陈世名 | 申请（专利权）人： | 上海谙邦半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 郑纯;黎飞鸿 |
| 地址： | 201208 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种等离子体源系统及其使用方法，属于等离子体刻蚀技术领域，具体包括反应腔主体；位于所述反应腔主体上方的感性耦合射频单元，所述感性耦合射频单元用于产生进入所述反应腔主体参加反应的等离子体；所述反应腔主体内设有支撑平台和位置可调的腔体保护环，所述支撑平台用于放置晶圆，所述腔体保护环环绕所述反应腔主体的内壁进行设置且位于所述支撑平台的周围，所述腔体保护环沿圆周方向设有多个磁性件，所述磁性件用于调节所述晶圆边缘的等离子体密度。通过本申请的处理方案，提高了晶圆表面刻蚀速率的均匀性，以及对反应腔主体进行有效防护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 系统 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
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