[发明专利]基于忆阻器的卷积神经网络加速器核心的模拟方法及装置有效

专利信息
申请号: 202210293602.5 申请日: 2022-03-24
公开(公告)号: CN114399037B 公开(公告)日: 2022-07-15
发明(设计)人: 王志斌;时拓;顾子熙;李一琪;张程高;高丽丽 申请(专利权)人: 之江实验室
主分类号: G06N3/063 分类号: G06N3/063;G06N3/04
代理公司: 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 代理人: 孙孟辉;杨小凡
地址: 311100 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了基于忆阻器的卷积神经网络加速器核心的模拟方法及装置,支持除常见的正负权值映射形式外还支持补码形式的RRAM权重映射,通过将RRAM核心与外围电路抽象成各个模块并将位移寄存器与RRAM的卷积过程封装成更粗粒度的事务,在保证模型功能与精度的前提下简化芯片上外围数字电路的模型结构。本发明利用高级语言搭建RRAM核心的TLM模型,支持模拟RRAM核心的功耗、延迟、算力、面积等关键参数,比传统RTL模型仿真速度快1000倍以上,帮助芯片设计人员在芯片RTL模型完成前对芯片特性进行研究,缩短芯片的研发周期。
搜索关键词: 基于 忆阻器 卷积 神经网络 加速器 核心 模拟 方法 装置
【主权项】:
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