[发明专利]基于硅基可协变衬底制备氧化锌薄膜的方法在审
| 申请号： | 202210293497.5 | 申请日： | 2022-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114664664A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 倪明堂;赵健州;何立波;吴俊美 | 申请（专利权）人： | 广东省智能机器人研究院 |
| 主分类号： | H01L21/365 | 分类号： | H01L21/365;H01L27/12 |
| 代理公司： | 东莞卓为知识产权代理事务所(普通合伙) 44429 | 代理人： | 汤冠萍 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种基于硅基可协变衬底制备氧化锌薄膜的方法，包括：选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底，放入MOCVD设备中；排净MOCVD设备中反应室中的空气；在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源，使得在锌隔离层上生长氧化锌薄膜；待反应室压强升至常压，温度降至常温后，关闭载气，从MOCVD设备中取出氧化锌薄膜样品。本发明采用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为可协变衬底，可以协调Si衬底上制备生长的ZnO外延层的失配应变，既降低了膜层内积聚的残余应力，还提高了薄膜的生长质量。本发明的原材料和设备成本低，工艺简单，提高了样品的清洁度和结晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硅基可协变 衬底 制备 氧化锌 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
