[发明专利]沟槽栅型超结IGBT器件结构及制作方法在审
| 申请号： | 202210277956.0 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN114823885A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 程炜涛;姚阳 | 申请（专利权）人： | 上海埃积半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/51;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 杨用玲 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开的沟槽栅型超结IGBT器件结构及制作方法中，其制备方法包括步骤：在所述N‑基区内挖设若干深槽；在所述深槽内填充P型硅后，回刻P型硅形成第一深槽区，使所述第一深槽区与相邻的所述N‑基区形成横向PN结；在所述第一深槽区内P型硅上淀积绝缘材料形成栅极绝缘区；通过热氧化方式在所述栅极绝缘区上方的所述深槽侧壁形成栅极氧化层；在所述栅极氧化层内部填充多晶硅材料，刻蚀形成多晶硅栅区，将所述多晶硅栅区作为第二深槽区。本发明可以减少IGBT器件制备过程中多道挖沟槽工艺造成的器件损伤，提高IGBT器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅型超结 igbt 器件 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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