[发明专利]挠场能源产生及储存芯片与装置在审

专利信息
申请号: 202210264881.2 申请日: 2022-03-17
公开(公告)号: CN115208165A 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 王渤渤;殷立纬;李嗣涔 申请(专利权)人: 天元地磁股份有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 代理人: 何尤玉;郭仁建
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种挠场能源产生及储存芯片,包含磁电容模块、第一激发电极及第二激发电极;磁电容模块包含有依序叠合的第一输出电极层、第一磁性层、介电层、第二磁性层、第二输出电极层,其中第一磁性层及第二磁性层的磁极方向相同,且当第一激发电极及第二激发电极连接激发电压源而产生激发电场时,激发电场与第一磁性层及第二磁性层之间的磁场在介电层交错,并产生磁电转换效应而储存电能;输出电极层用于输出储存的电能,激发电极用于提供激发电场,使得输出电能及激发程序能够同时进行,解决磁电转换芯片必须切断输出才能进行激发程序的不便。
搜索关键词: 能源 产生 储存 芯片 装置
【主权项】:
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