[发明专利]挠场能源产生及储存芯片与装置在审
申请号: | 202210264881.2 | 申请日: | 2022-03-17 |
公开(公告)号: | CN115208165A | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 王渤渤;殷立纬;李嗣涔 | 申请(专利权)人: | 天元地磁股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 何尤玉;郭仁建 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 能源 产生 储存 芯片 装置 | ||
1.一种挠场能源产生及储存芯片,其特征在于,包含:
一基板;
至少一磁电容模块,设置于该基板上,包含有依序叠合设置的:
一第一输出电极层;
一第一磁性层,有一第一磁极方向;
一介电层;
一第二磁性层,有一第二磁极方向,且该第一磁性层与该第二磁性层在该介电层中形成一激发磁场;及
一第二输出电极层;
至少一第一激发电极,设置于该基板上,与该磁电容模块分离设置;及
至少一第二激发电极,设置于该基板上,与该磁电容模块及该第一激发电极分离设置;
其中,当该第一激发电极及该第二激发电极连接一激发电压源,该第一激发电极及该第二激发电极之间产生一激发电场,该激发电场与该激发磁场在该介电层中交错,并在该介电层产生一磁电转换而储存电能。
2.如权利要求1所述的挠场能源产生及储存芯片,其特征在于,
该第二磁极方向与该第一磁极方向相反。
3.如权利要求1所述的挠场能源产生及储存芯片,其特征在于,,
该第一磁性层具有相对二表面,且具有一第一磁极及一第二磁极,该第一磁性层的第一磁极及第二磁极分别朝向该第一磁性层的相对二表面的其中之一;
该第二磁性层具有相对二表面,且具有一第一磁极及一第二磁极,该第二磁性层的第一磁极及第二磁极分别朝向该第二磁性层的相对二表面的其中之一。
4.如权利要求1所述的挠场能源产生及储存芯片,其特征在于,进一步包含:
一保护层;其中,该磁电容模块、该第一激发电极、该第二激发电极设置于该保护层中。
5.如权利要求1所述的挠场能源产生及储存芯片,其特征在于,该至少一第一激发电极为多个第一激发电极;
该至少一第二激发电极为多个第二激发电极,与各该第一激发电极交错排列设置,且相邻的第一激发电极及第二激发电极之间有一间隔空间;
该至少一磁电容模块为多个磁电容模块,设置于所述间隔空间中。
6.如权利要求1所述的挠场能源产生及储存芯片,其特征在于,进一步包含:
一第一输出构件,设置于该基板上,且电性连接于该第一输出电极层及一第一输出引脚之间;及
一第二输出构件,设置于该基板上,且电性连接于该第二输出电极层及一第二输出引脚之间。
7.如权利要求1所述的挠场能源产生及储存芯片,其特征在于,进一步包含:
一第一输出构件,设置于该基板上,且电性连接该第一输出电极层;
一第二输出构件,设置于该基板上,且电性连接该第二输出电极层;及
一保护层,具有多个开口;其中,
该磁电容模块、该第一激发电极、该第二激发电极设置于该保护层中,所述开口的位置分别对应该第一输出构件、该第二输出构件、该第一激发电极、该第二激发电极,使得该第一输出构件、该第二输出构件、该第一激发电极、该第二激发电极的表面外露于所述开口中。
8.一种挠场能源产生及储存装置,其特征在于,包含:
如权利要求1至5中任一项所述的挠场能源产生及储存芯片;
一封装外壳,该挠场能源产生及储存芯片设置于该封装外壳内;
一第一输出引脚,设置于该封装外壳上,电性连接该第一输出电极层;
一第二输出引脚,设置于该封装外壳上,电性连接该第二输出电极层;
一第一激发电压源引脚,设置于该封装外壳上,电性连接该第一激发电极;及
一第二激发电压源引脚,设置于该封装外壳上,电性连接该第二激发电极。
9.如权利要求8所述的挠场能源产生及储存装置,其特征在于,进一步包含:
一激发电压源;
该激发电压源电性连接该挠场能源产生及储存芯片的第一激发电压源引脚及该第二激发电压源引脚,提供一激发电压。
10.如权利要求9所述的挠场能源产生及储存装置,其特征在于,
该激发电压源是一已完成激发程序的挠场能源产生及储存芯片。
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