[发明专利]一种PZN-基三元高性能单晶的制备方法

摘要

本发明涉及一种PZN‑基三元高性能单晶的制备方法，所述单晶的化学式为(1‑x‑y)Pb(B′1/2B″1/2)O3‑yPb(Zn1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3，所述单晶使用籽晶杆和坩埚可旋转的生长炉，通过顶部籽晶法制备，配料装炉后，将原料加热至熔融状态，恒温一定时间得熔体，然后将籽晶调至与熔体的液面相接，找到饱和点温度，在过饱和温度适当降温进行晶体生长，并根据晶体生长速度调节降温速率，生长完成后退火降温得PZN‑基大尺寸三元高性能单晶，本发明生长过程中通过旋转籽晶杆和坩埚调节熔体的对流变化，制备得到的PZN‑基大尺寸三元高性能单晶质量好、均匀性高，介电常数和压电系数显著提高。