[发明专利]一种激光解键合的方法及其应用在审
| 申请号： | 202210247379.0 | 申请日： | 2022-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN114649199A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 王方成;张国平;刘强;孙蓉 | 申请（专利权）人： | 深圳先进电子材料国际创新研究院;中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B23K26/36;B23K26/60 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 范盈;李玉娜 |
| 地址： | 518103 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激光解键合的方法及其应用，方法包括以下步骤：(1)采用激光发射器以光束辐照于键合晶圆对的目标区域，使粘结层发生分解和/或改性；分离承载晶圆和器件晶圆；(2)采用激光发射器的离焦模式以光束辐照于分离后的器件晶圆表面残留的光敏键合材料；其中，步骤(1)中，光束辐照的单脉冲能量密度大于光敏键和材料的烧蚀阈值；步骤(2)中，光束辐照的单脉冲能量密度小于光敏键和材料的烧蚀阈值。本发明操作简单、节约成本、节省空间、加工效率高、普适性好以及可程序化一体式加工等优点，所制得的超薄器件晶圆表面能够完全去胶，有利于实现规模化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 解键合 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
