[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 202210244348.X | 申请日： | 2022-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN114334613B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李荷莉;于绍欣 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 刘畅 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成掩模层，依次刻蚀所述掩模层及所述衬底以形成若干沟槽；在所述沟槽的内壁形成介质层；在所述沟槽内填充第一氧化层；刻蚀所述介质层和所述第一氧化层的部分厚度及所述掩模层，刻蚀后所述第一氧化层的顶部高于所述衬底的表面；继续刻蚀所述介质层的部分厚度，刻蚀后所述介质层的顶部低于所述衬底的表面；以及，顺形在所述衬底、所述介质层和所述第一氧化层的表面形成第二氧化层，所述第一氧化层和所述第二氧化层构成场板，本发明提高了半导体器件的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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