[发明专利]具有改进的击穿性能的LDMOS在审
| 申请号： | 202210243775.6 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN115083914A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 林欣;祝荣华;张志宏;吴玉静;皮特·罗德里克斯 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 冯薇;黄亮 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有改进的击穿性能的LDMOS。一种用于制造半导体装置的方法包括在隔离区上方形成板结构。形成电连接到在所述隔离区下方的漂移区的漏极电极，其中所述漏极电极沿着所述半导体装置的有源区域的中心轴线在所述半导体装置的源极与漏极之间的电流流动的方向上与所述板结构的第一位置间隔开第一距离，所述漏极电极沿着平行于所述中心轴线且在所述有源区域内的线与所述板结构的第二位置间隔开第二距离。所述第一距离小于所述第二距离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 击穿 性能 ldmos | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
