[发明专利]一种垂直MOS晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202210239392.1 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114551244A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 刘冲;邹永金;陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种垂直MOS晶体管的制备方法，包括以下步骤：步骤S22：在沟槽的侧壁上形成侧墙，并以侧墙为掩模对沟槽的底壁进行离子注入；步骤S23：在沟槽的底壁形成第一绝缘膜层，并去除所述侧墙；步骤S24：在沟槽的内壁上形成第二绝缘膜层。本发明通过增加步骤S22和步骤S23，来增加沟槽底壁上的绝缘层的厚度，也就是增加了第一绝缘膜层的厚度，还提高垂直MOS晶体管的击穿电压，以避免在沟槽的底角处发生介电层击穿，还可以降低垂直MOS晶体管的寄生电容，从而提高了器件的响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 mos 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
