[发明专利]一种双场板AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压预测方法在审
| 申请号： | 202210231250.0 | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN114741949A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 段小玲;刘诗杰;王树龙;张进成;张金风;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/27 | 分类号： | G06F30/27;G06N3/04;G06N3/08 |
| 代理公司： | 西安睿通知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61218 | 代理人： | 惠文轩 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子器件技术领域，具体涉及一种双场板AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压预测方法。本发明基于神经网络，对双场板HEMT器件中栅、源场板结构与击穿电压之间的非线性关系进行学习，从而能快速且精准地预测出双场板HEMT器件的击穿电压，避免了传统TCAD仿真方法计算量大、耗时且难以收敛的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双场板 algan gan hemt 器件 击穿 电压 预测 方法 | ||
【主权项】：
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