[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210230498.5 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN115835632A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 末光凉;大桥贵志 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/20;H10B43/20;H10B43/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供适于适当地形成孔的半导体装置。根据一个实施方式，提供具有基板、层叠体、多个柱状半导体、半导体层和导电部的半导体装置。层叠体配置于基板的上方。层叠体是多个导电层隔着绝缘层层叠而成的。多个柱状半导体分别将层叠体贯通。半导体层配置于基板的上方。半导体层与柱状半导体的底部连接。半导体层在与层叠体相邻的区域具有槽图案。导电部在区域填满槽图案，与半导体层的侧面接触。导电部将半导体层与基板电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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