[发明专利]一种基于二硒化钨和IEICO-4F的异质结结构及光电探测器、及其制备在审
| 申请号： | 202210228997.0 | 申请日： | 2022-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN114613911A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 徐明生;陈叶馨;朱清海 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 杭州坚果知识产权代理事务所(普通合伙) 33366 | 代理人： | 张剑英 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二硒化钨和IEICO‑4F的异质结结构及光电探测器、及其制备，通过化学气相沉积法在硅衬底上合成单层二硒化钨薄膜，再通过旋涂工艺在二硒化钨薄膜上制备出IEICO‑4F层。该异质结能带呈II型(交错)排列，有利于快速分离因入射光所生成的光生载流子而形成光电流，且随着有机半导体层厚度增加，二硒化钨的光致发光峰显著淬灭，器件表现出更加优异的光响应特性。该异质结及其光电探测器的制备方法简单、成本低、兼容硅工艺。由该异质结结构组成的光电探测器具有高响应率、高探测率、高稳定性、宽光谱响应等优异特性，这为新一代基于二硒化钨的光电探测器提供新的指导意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二硒化钨 ieico 异质结 结构 光电 探测器 及其 制备 | ||
【主权项】：
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