[发明专利]MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法有效
| 申请号： | 202210213400.5 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN114686971B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 马孟宇;蔚翠;郭建超;刘庆斌;王亚伟;周闯杰;何泽召;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/04;C23C16/458 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 柳萌 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法，属于气相沉积技术领域，包括：钼托底座以及分体的钼环，钼环层叠置于钼托底座上，且其外表面不凸出于钼托底座的外表面，钼环具有外接于金刚石衬底的通孔。本发明提供的MPCVD单晶金刚石生长钼托，能够解决金刚石衬底与卡槽侧壁的面面接触导致散热不均、结碳层难于清理、及金刚石衬底移动的问题。钼托结构简单，便于操作，在金刚石生长过程中，散热均匀，成本低廉，便于清洁，解决了在单晶金刚石生长时存在的一系列问题，对于研究高质量单晶金刚石的生长具有重大意义。 | ||
| 搜索关键词： | mpcvd 金刚石 生长 方法 | ||
【主权项】：
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