[发明专利]超晶格中长波双波段红外探测器芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种超晶格中长波双波段红外探测器芯片制备方法，包括提供衬底，在衬底上生长双波段叠层锑化物超晶格材料，对双波段叠层探测器芯片的高台面进行复合钝化工艺，钝化时，包括提供阳极硫化电解液，阳极硫化电解液包括混合的无水硫化钠和二甲基亚砜溶液；利用阳极硫化电解液进行阳极硫化处理，在双波段叠层高台面上生长硫化物薄膜，硫化物薄膜覆盖高台面，并从高台面上沿伸至高台面的侧壁向下；在硫化物薄膜上沉积Al2O3薄膜形成复合钝化薄膜。本发明通过生长硫化物薄膜和Al2O3薄膜形成复合钝化薄膜，在解决界面态问题的同时，降低了器件的暗电流，显著提高了探测器的量子效率和探测率，取得了良好的钝化效果。