[发明专利]一种MOSFET高温可靠性综合测试装置在审
| 申请号： | 202210190179.6 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114563676A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 杜泽晨;杨霏;刘瑞;田丽欣;张一杰 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 王娜 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET高温可靠性综合测试装置，包括：高温栅偏测试平台及高温反偏测试平台置于所述恒温箱内，恒温箱提供预设温度的恒温条件；电源模块为所述高温栅偏测试平台提供栅极电压、为高温反偏测试平台提供漏极电压；高温栅偏测试平台能同时对多个MOSFET进行栅偏测试，高温反偏测试平台能同时对多个MOSFET进行反偏测试；电流采集模块采集高温栅偏测试平台的测试电流、高温反偏测试的测试电流，从而实现对多个MOSFET同时进行高温栅偏测试或高温反偏测试，节省了测试时间，提高了测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 高温 可靠性 综合测试 装置 | ||
【主权项】：
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