[发明专利]一种MOSFET高温可靠性综合测试装置

权利要求书

1.一种MOSFET高温可靠性综合测试装置，其特征在于，包括：恒温箱、高温栅偏测试平台、高温反偏测试平台、电源模块、电流采集模块，其中，

所述高温栅偏测试平台及所述高温反偏测试平台置于所述恒温箱内，所述恒温箱用于提供预设温度的恒温条件；

所述高温栅偏测试平台的正负极供电端、所述高温反偏测试平台的正负极供电端均与所述电源模块连接，所述电源模块置于所述恒温箱外，所述电源模块用于为所述高温栅偏测试平台提供栅极电压、为所述高温反偏测试平台提供漏极电压；

所述高温栅偏测试平台用于同时对多个MOSFET进行栅偏测试，所述高温反偏测试平台用于同时对多个MOSFET进行反偏测试；

所述电流采集模块置于所述恒温箱外，所述电流采集模块输入端分别与所述高温栅偏测试平台的正负极供电端、所述高温栅偏测试平台的正负极供电端连接，所述电流采集模块用于采集所述高温栅偏测试平台的测试电流、所述高温反偏测试的测试电流。

2.根据权利要求1所述的MOSFET高温可靠性综合测试装置，其特征在于，还包括：

数据处理模块，所述数据处理模块置于所述恒温箱外，所述数据处理模块输入端与所述电流采集模块的输出端连接，所述数据处理模块用于将所述电流采集模块采集的测试电流进行整理，并绘制测试图形。

3.根据权利要求1所述的MOSFET高温可靠性综合测试装置，其特征在于，所述电源模块包括：栅极电源模块及高压电源模块，其中，

所述栅极电源模块与所述高温栅偏测试平台的正负极供电端连接，所述栅极电源模块为所述高温栅偏测试平台提供栅极电压；

所述高压电源模块与所述高温反偏测试平台的正负极供电端连接，所述高压电源模块为所述高温反偏测试平台提供漏极电压。

4.根据权利要求2所述的MOSFET高温可靠性综合测试装置，其特征在于，所述高温反偏测试平台包括：第一PCB基板、第一正负极柱端子、多个第一MOSFET插槽及多个第一保护电阻，其中，

所述第一PCB基板用于承载所述第一MOSFET插槽、第一保护电阻及第一正负极柱端子；

每个所述第一MOSFET插槽的漏极、源极分别通过所述第一PCB基板内部金属走线与其他所述第一MOSFET插槽的漏极、源极对应相连，并最终与第一负极柱端子连接；

每个所述第一MOSFET插槽的栅极通过所述第一PCB基板内部金属走线与一个所述第一保护电阻的第一端连接，该第一保护电阻的另一端通过所述第一PCB基板内部的金属走线与第一正极柱端子连接；

第一正极柱端子、第一负极柱端子均通过所述第一PCB基板内部金属走线与栅极电源模块的正极供电端、负极供电端连接。

5.根据权利要求4所述的MOSFET高温可靠性综合测试装置，其特征在于，

所述高温栅偏测试平台的MOSFET插槽按照矩阵形式布置；

每行第一MOSFET插槽漏极、源极分别通过所述第一PCB基板内部金属走线与本行其他所述第一MOSFET插槽的漏极、源极对应相连，并最终与第一负极柱端子连接；或者每列的第一MOSFET插槽漏极、源极分别通过所述第一PCB基板内部金属走线与本列其他所述第一MOSFET插槽的漏极、源极对应相连，并最终与第一负极柱端子连接。

6.根据权利要求4所述的MOSFET高温可靠性综合测试装置，其特征在于，所述高温反偏测试平台包括：第二PCB基板、第二正负极柱端子、多个第二MOSFET插槽及多个第二保护电阻，其中，

所述第二PCB基板用于承载所述第二MOSFET插槽、第二保护电阻及第二正负极柱端子；

每个所述第二MOSFET插槽的栅极、源极分别通过所述第二PCB基板内部金属走线与其他所述第二MOSFET插槽的栅极、源极对应相连，并最终与第二负极柱端子连接；

每个所述第二MOSFET插槽的漏极通过所述第二PCB基板内部金属走线与一个所述第二保护电阻的第一端连接，该第二保护电阻的另一端通过所述第二PCB基板内部的金属走线与第二正极柱端子连接；

第二正极柱端子、第二负极柱端子与栅极电源模块的正极供电端、负极供电端连接。