[发明专利]解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法在审
| 申请号： | 202210189486.2 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114695100A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 许亮;李孝慈;陈宏璘;龙吟;王恺 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，提供衬底，衬底上形成有叠层，叠层上形成有侧墙；形成覆盖侧墙的第一掩膜层，之后回刻第一掩膜层至第一高度，使得侧墙的上端裸露；在裸露的侧墙表面形成第二掩膜层；去除第一掩膜层，之后刻蚀侧墙的下端，使得侧墙形成为矩形轮廓。本发明将类似侧墙轮廓由倾斜变为竖直；由于无定形硅内核和外层空间区域的轮廓均匀，可以减少等离子负载，并且在鳍片或多晶硅蚀刻过程中更容易清洗聚合物，可以解决桥接和块刻蚀缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 解决 校准 工艺 曝光 蚀刻 局部 负载 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210189486.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
