[发明专利]解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法在审

申请号：	202210189486.2	申请日：	2022-02-28
公开（公告）号：	CN114695100A	公开（公告）日：	2022-07-01
发明（设计）人：	许亮;李孝慈;陈宏璘;龙吟;王恺	申请（专利权）人：	上海华力集成电路制造有限公司
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28;H01L21/336
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	刘昌荣
地址：	201203***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	解决校准工艺曝光蚀刻局部负载方法
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【说明书】：

本发明提供一种解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，提供衬底，衬底上形成有叠层，叠层上形成有侧墙；形成覆盖侧墙的第一掩膜层，之后回刻第一掩膜层至第一高度，使得侧墙的上端裸露；在裸露的侧墙表面形成第二掩膜层；去除第一掩膜层，之后刻蚀侧墙的下端，使得侧墙形成为矩形轮廓。本发明将类似侧墙轮廓由倾斜变为竖直；由于无定形硅内核和外层空间区域的轮廓均匀，可以减少等离子负载，并且在鳍片或多晶硅蚀刻过程中更容易清洗聚合物，可以解决桥接和块刻蚀缺陷。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法。

背景技术

随着FINFET(鳍式场效应管)技术的缩小，需要通过SADP(自校准双重)或SAQP(自校准四重)工艺生成鳍或栅极。

SADP或SAQP图案转移基于间隔剖面，包括鳍生成和多晶生成。

因为无定形硅的侧墙由蚀刻工艺控制，因此侧墙(core)的形貌就像帆船，等离子体很难覆盖内核和外层空间，蚀刻负载将在蚀刻过程中引起块蚀刻或桥接缺陷。

为此，需要一种解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，用于解决现有技术中侧墙的形貌就像帆船，因为无定形硅核心RM和间隔开式蚀刻工艺控制。然后，等离子体很难覆盖内核和外层空间，蚀刻负载将在蚀刻过程中引起块蚀刻或桥接缺陷的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法包括：

步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有叠层，所述叠层上表面上形成有倾斜的侧墙；

步骤二、形成覆盖所述侧墙的第一掩膜层，之后回刻所述第一掩膜层至第一高度，使得所述侧墙的上端裸露；