[发明专利]解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法在审
| 申请号： | 202210189486.2 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114695100A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 许亮;李孝慈;陈宏璘;龙吟;王恺 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 解决 校准 工艺 曝光 蚀刻 局部 负载 方法 | ||
1.一种解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有叠层，所述叠层上表面上形成有倾斜的侧墙；
步骤二、形成覆盖所述侧墙的第一掩膜层，之后回刻所述第一掩膜层至第一高度，使得所述侧墙的上端裸露；
步骤三、在裸露的所述侧墙表面形成第二掩膜层；
步骤四、去除所述第一掩膜层，将所述侧墙的下端露出，之后刻蚀所述侧墙的所述下端，使得所述侧墙上下端形成为竖直结构轮廓。
2.根据权利要求1所述的解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，其特征在于：步骤一中的所述叠层由自下而上堆叠的第一氧化层、第二氮化硅层和第三氧化层组成。
3.根据权利要求1所述的解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。
4.根据权利要求1所述的解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，其特征在于：步骤一中所述侧墙的材料为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，其特征在于：步骤二中的所述第一掩膜层的材料为旋涂式碳掩膜。
6.根据权利要求1所述的解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，其特征在于：步骤二中的所述第一掩膜层的厚度为1500埃至2000埃。
7.根据权利要求1所述的解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，其特征在于：步骤二中的所述第一高度为400埃至600埃。
8.根据权利要求4所述的解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，其特征在于：步骤三中将裸露的所述侧墙进行氧化以形成所述第二掩膜层。
9.根据权利要求1所述的解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，其特征在于：步骤三中所述第二掩膜层的厚度为30埃。
10.根据权利要求1所述的解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，其特征在于：步骤四中采用湿法清洗去除所述第一掩膜层。
11.根据权利要求1所述的解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，其特征在于：步骤四中所述刻蚀的方法为干法刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
