[发明专利]嵌入式SONOS闪存ONO层的制造方法在审
| 申请号： | 202210189474.X | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114695099A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 初靖;蔡彬;黄冠群 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种嵌入式SONOS闪存ONO层的制造方法，提供衬底，衬底上形成有逻辑区，逻辑区包括依次相邻的存储单元区、选择单元区、输入输出区和核心器件区，衬底上依次形成有自下而上叠加的第一氧化层、第一氮化层和第二氧化层；在第二氧化层上形成抗反射层以及光刻胶层，之后光刻打开光刻胶层，使得存储单元区之外的抗反射层裸露；刻蚀去除裸露的抗反射层，使得存储单元区之外的第二氧化层裸露；刻蚀去除裸露的第二氧化层，使得存储单元区之外的第一氮化层裸露；去除剩余的抗反射层和光刻胶层；刻蚀去除裸露的第一氮化层。本发明的方法利用湿法刻蚀的选择比高特性，解决干法刻蚀损伤氮化层的问题，进而栅极氧化层的可靠性，最终提高ONO工艺的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 sonos 闪存 ono 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210189474.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
