[发明专利]嵌入式SONOS闪存ONO层的制造方法在审
| 申请号： | 202210189474.X | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114695099A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 初靖;蔡彬;黄冠群 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 嵌入式 sonos 闪存 ono 制造 方法 | ||
1.一种嵌入式SONOS闪存ONO层的制造方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有逻辑区，所述逻辑区包括依次相邻的存储单元区、选择单元区、输入输出区和核心器件区，所述衬底上依次形成有自下而上叠加的第一氧化层、第一氮化层和第二氧化层；
步骤二、在所述第二氧化层上形成抗反射层；在所述抗反射层表面形成光刻胶层，之后光刻打开所述存储单元区之外的所述抗反射层；
步骤三、刻蚀去除裸露的所述抗反射层，使得所述存储单元区之外的所述第二氧化层裸露；
步骤四、刻蚀去除裸露的所述第二氧化层，使得所述存储单元区之外的所述第一氮化层裸露；
步骤五、去除剩余的所述抗反射层和所述光刻胶层；
步骤六、刻蚀去除裸露的第一氮化层。
2.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS闪存ONO层的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS闪存ONO层的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述第一氧化层和第二氧化层的材料均为二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS闪存ONO层的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述第一氮化层的材料为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS闪存ONO层的制造方法，其特征在于：步骤三中的所述刻蚀的方法为干法刻蚀。
6.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS闪存ONO层的制造方法，其特征在于：步骤四中所述刻蚀的方法为湿法刻蚀。
7.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS闪存ONO层的制造方法，其特征在于：步骤五中利用灰化和湿法清洗去除剩余的所述抗反射层和所述光刻胶层。
8.根据权利要求1所述的嵌入式SONOS闪存ONO层的制造方法，其特征在于：步骤六中的所述刻蚀为湿法刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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