[发明专利]一种用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液和精抛光方法有效
| 申请号： | 202210189299.4 | 申请日： | 2022-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN114479674B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王元立;贺友华;陈美琳 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101149 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及锗晶片加工技术领域，具体公开了一种用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液和精抛光方法。用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液，其由包含以下原料制备而成：改性石墨烯粉、微囊化相变材料、改性二氧化硅粉、聚苯乙烯微球、两性表面活性剂、非离子表面活性剂、硅烷偶联剂、二氯异氰尿酸钠、氟化铵、碳酸氢钠、硫酸钠、水；改性石墨烯粉为二氧化硅、银、硅烷偶联剂对石墨烯处理得到；改性二氧化硅粉为明胶、硅烷偶联剂对二氧化硅处理得到。该精抛光液，通过原料之间的协同作用，不仅降低磷对环境的影响，而且还降低锗晶片抛光处理后的表面粗糙度，提高锗晶片抛光处理的整体性能，满足市场需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶片 化学 机械抛光 抛光 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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