[发明专利]沟槽式肖特基二极管及沟槽式肖特基二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202210189170.3 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114639719A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 王国峰;李京兵;石晓宇 | 申请（专利权）人： | 北海惠科半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 刘敏 |
| 地址： | 536005 广西壮族自治区北海市工业园区北*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种沟槽式肖特基二极管及沟槽式肖特基二极管的制备方法，其中，沟槽式肖特基二极管包括外延层、第一氧化层、第一势垒层、第一金属层、第二金属层以及填充结构，第一氧化层，设置于外延层的表面且位于第二区域；第一势垒层，设置于外延层的表面且位于第一区域；第一金属层，设置于第一氧化层远离外延层的一面；第二金属层，设置于第一势垒层远离外延层的一面；填充结构，设置于第一环形凹槽的槽内。该沟槽式肖特基二极管通过在外延层设置第一环形凹槽，并在第一环形槽内设置有填充结构，在不需要使用硼源以及不增加正向导通电压的基础上，提高了反向击穿电压，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 式肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北海惠科半导体科技有限公司，未经北海惠科半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210189170.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
