[发明专利]一种基于开关过程的SiC MOSFET六相逆变器传导电磁干扰建模方法

摘要

本发明公开一种基于开关过程的SiC MOSFET六相逆变器传导电磁干扰建模方法，包括以下步骤：1)对六相逆变器中SiC MOSFET的暂态开关过程进行建模，得到SiC MOSFET在暂态开关过程中的栅源电压ugs；2)建立六相逆变器的差模传导干扰源模型和共模传导干扰源模型；3)建立六相逆变器的差模和共模传导干扰源的解析计算模型；4)根据六相逆变器的差模和共模传导干扰源的解析计算模型，计算出六相逆变器的差模电压和共模干扰电压。本发明基于SiC MOSFET暂态开关函数的建模方法，物理概念清晰，计算方法简单，能对六相逆变器电磁干扰源进行建模表征源头。