[发明专利]一种基于开关过程的SiC MOSFET六相逆变器传导电磁干扰建模方法

权利要求书

1.一种基于开关过程的SiC MOSFET六相逆变器传导电磁干扰建模方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)对六相逆变器中SiC MOSFET的暂态开关过程进行建模，得到SiC MOSFET在暂态开关过程中的栅源电压u_gs。

2)建立六相逆变器的差模传导干扰源模型和共模传导干扰源模型。

3)根据六相逆变器的差模传导干扰源模型和共模传导干扰源模型，建立六相逆变器的差模和共模传导干扰源的解析计算模型；

4)根据六相逆变器的差模和共模传导干扰源的解析计算模型，计算出六相逆变器的差模电压和共模干扰电压。

2.根据权利要求1所述的一种基于开关过程的SiC MOSFET六相逆变器传导电磁干扰建模方法，其特征在于，所述暂态开关过程包括开通过程和关断过程；

所述开通过程包括开通延时阶段、电流上升阶段、第一米勒平台阶段和开通振荡阶段；

所述关断过程包括关断延迟阶段、第二米勒平台阶段、电流下降阶段和截止延迟阶段。

3.根据权利要求2所述的一种基于开关过程的SiC MOSFET六相逆变器传导电磁干扰建模方法，其特征在于，SiC MOSFET在开通延时阶段的栅源电压u_gs如下所示：

式中，U_GH为SiC MOSFET的工作电压；U_EE为SiC MOSFET的截止电压；t₀为SiC MOSFET接收到开通信号的时刻；t为当前时刻；时间常数τ＝R_g(C_gs+C_gd)；R_g为SiC MOSFET的栅极电阻；C_gs、C_gd分别为栅极和源极、栅极和漏极之间的高频寄生电容；

SiC MOSFET在电流上升阶段的动态特性满足公式(2)-(7)，即：

u_gs＝u_gd+u_ds (3)

式中，i_d、i_g为SiC MOSFET的漏极电流和栅极电流；U_th为SiC MOSFET的开通电压；C_ds为漏极和源极之间的高频寄生电容；u_gd、u_ds分别为SiC MOSFET的栅漏电压、漏源电压；g_fs为SiC MOSFET的跨导；V_CC为电源电压；L_g、L_d、L_s分别为栅极、漏极和源极的高频寄生电感；

根据动态特性(2)-(7)，SiC MOSFET在电流上升阶段的栅源电压u_gs如下所示：

式中，U_th为SiC MOSFET的开通电压；t₁为SiC MOSFET进入电流上升阶段的时刻；参数参数参数a'＝R_gC_gdg_fs(L_s+L_d)+C_gsL_s；参数b＝R_g(C_gs+C_gd)+C_gsL_s；L_d、L_s分别为漏极和源极的高频寄生电感；

SiC MOSFET在第一米勒平台阶段的栅源电压u_gs为常数，其值等于米勒平台电压U_Gp；第一米勒平台阶段的持续时间t₂、t₃为SiC MOSFET在第一米勒平台阶段的第一个时刻、最后一个时刻；Q_gd是处于米勒平台阶段释放的电荷；I_source代表栅极上拉电流的有效水平；

其中，米勒平台电压U_Gp如下所示：

式中，I_d为连续漏极电流；

SiC MOSFET在开通振荡阶段的栅源电压u_gs如下所示：

其中，漏极电流i_d如下所示：

其中，R_ds为漏源导通电阻。