[发明专利]非易失性存储单元数据读取方法及存内计算数据读取方法在审
| 申请号： | 202210177188.1 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN114694727A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;陈燕宁;潘成;王于波;邵瑾;薛晓勇;赵文龙;吴峰霞;姜静雯;郭之望 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;复旦大学 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李红 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种非易失性存储单元数据读取方法及存内计算数据读取方法，属于半导体技术领域。方法包括：响应于第一数据读取指令，向非易失性存储器件与位线连接的一端施加第一电压，并向三端开关元件与源线连接的一端施加第二电压，第二电压低于第一电压，且第一电压与第二电压的差值大于三端开关元件的阈值电压；通过非易失性存储器件与位线连接的一端获取非易失性存储器件的存储数据。本申请能有效避免了现有的反向读取过程中需对与非易失性存储器件连接的源线施加高电压，导致开关元件产生衬偏效应，进而导致开关元件阈值电压变化，影响存储单元的读取速度和裕度的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 单元 数据 读取 方法 计算 | ||
【主权项】：
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