[发明专利]非易失性存储单元数据读取方法及存内计算数据读取方法在审

专利信息
申请号: 202210177188.1 申请日: 2022-02-25
公开(公告)号: CN114694727A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 赵东艳;陈燕宁;潘成;王于波;邵瑾;薛晓勇;赵文龙;吴峰霞;姜静雯;郭之望 申请(专利权)人: 北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;复旦大学
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C16/24
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 李红
地址: 100192 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 非易失性 存储 单元 数据 读取 方法 计算
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储单元数据读取方法,所述非易失性存储单元包括串联连接的非易失性存储器件及三端开关元件,其特征在于,所述读取方法包括:

响应于第一数据读取指令,向所述非易失性存储器件与位线连接的一端施加第一电压,并向所述三端开关元件与源线连接的一端施加第二电压,所述第二电压低于所述第一电压,且所述第一电压与所述第二电压的差值大于所述三端开关元件的阈值电压;

通过所述非易失性存储器件与位线连接的一端获取所述非易失性存储器件的存储数据。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储单元数据读取方法,其特征在于,所述读取方法还包括:

响应于第二数据读取指令,向所述三端开关元件与源线连接的一端施加第三电压,并向所述非易失性存储器件与位线连接的一端施加第四电压,所述第三电压低于所述第四电压,且所述第三电压与所述第四电压的差值大于所述三端开关元件的阈值电压;

通过所述三端开关元件与源线连接的一端获取所述非易失性存储器件的存储数据。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储单元数据读取方法,其特征在于,所述非易失性存储器件的一端与位线连接,另一端与所述三端开关元件的第一端连接,所述三端开关元件的第二端与字线连接,所述三端开关元件的第三端与源线连接;

所述字线用于向所述三端开关元件提供电源电压,所述位线用于向所述非易失性存储器件与位线连接的一端施加第一电压或第四电压,所述源线用于向所述三端开关元件与源线连接的一端施加第二电压或第三电压。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储单元数据读取方法,其特征在于,所述存储数据为所述非易失性存储器件的当前阻值状态在位线电压为第一电压且源线电压为第二电压的情况下,所述位线上的电流值的映射;或者,所述存储数据为所述非易失性存储器件的当前阻值状态在源线电压为第三电压且位线电压为第四电压的情况下,所述源线上的电流值的映射。

5.根据权利要求2所述的非易失性存储单元数据读取方法,其特征在于,所述第一电压与所述第四电压相等。

6.根据权利要求2所述的非易失性存储单元数据读取方法,其特征在于,所述第二电压与所述第三电压相等。

7.根据权利要求1~6中任一项权利要求所述的非易失性存储单元数据读取方法,其特征在于,所述非易失性存储单元为阻变存储器。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储单元数据读取方法,其特征在于,所述阻变存储器为1T1R的阻变存储器。

9.一种存内计算数据读取方法,应用于存内计算系统,所述存内计算系统包括由多个阵列排布的非易失性存储单元构成的非易失性存储单元阵列,所述非易失性存储单元包括串联连接的非易失性存储器件及三端开关元件,其特征在于,所述读取方法包括:

响应于第一数据读取指令,向每一目标非易失性存储器件与位线连接的一端施加第一电压,并向每一目标三端开关元件与源线连接的一端施加第二电压,所述第二电压低于所述第一电压,且所述第一电压与所述第二电压的差值大于所述三端开关元件的阈值电压;

获取所有目标非易失性存储器件与位线连接的一端上输出的非易失性存储器件的存储数据。

10.根据权利要求9所述的存内计算数据读取方法,其特征在于,所述读取方法还包括:

响应于第二数据读取指令,向每一目标三端开关元件与源线连接的一端施加第三电压,并向每一目标非易失性存储器件与位线连接的一端施加第四电压,所述第三电压低于所述第四电压,且所述第三电压与所述第四电压的差值大于所述三端开关元件的阈值电压;

获取所有目标三端开关元件与源线连接的一端上输出的非易失性存储器件的存储数据。

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