[发明专利]聚焦环及形成其的方法、等离子体型半导体处理工具在审
| 申请号： | 202210176180.3 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN115497796A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 黄圣杰;左正光;李宙峰;郑钟秀;陈智圣;陈俊彦;许志贤;洪景泰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种聚焦环及形成其的方法、等离子体型半导体处理工具。用于等离子体型半导体处理工具的聚焦环被设计为在等离子体蚀刻工艺期间提供和/或确保整个晶片的蚀刻速率均匀性。聚焦环可以包括远离聚焦环的中心倾斜以将等离子体引导至晶片的倾斜内壁。倾斜内壁的角度可以相对于晶片的顶表面大于近似130度和/或可以相对于聚焦环的相邻下部表面小于近似50度，以减少和/或消除在晶片上重叠等离子体的区域(否则会导致不均匀的蚀刻速率)。此外，内径可以被配置为在近似209毫米到214毫米的范围内，以进一步减少和/或消除晶片上重叠等离子体的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 聚焦 形成 方法 等离子 体型 半导体 处理 工具 | ||
【主权项】：
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