[发明专利]聚焦环及形成其的方法、等离子体型半导体处理工具

权利要求书

1.一种用于等离子体型半导体处理工具的聚焦环，包括：

外壁；

倾斜内壁，远离所述聚焦环的中心倾斜；

下部表面，与所述倾斜内壁相邻，

其中所述倾斜内壁的向外角度被配置为减少晶片中心处或晶片中心附近的等离子体的重叠并且减少未被等离子体蚀刻的晶片区域；以及

连接所述外壁和所述倾斜内壁的顶表面。

2.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述倾斜内壁相对于所述下部表面的向外角度小于50度。

3.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述聚焦环的所述内径在近似209毫米至近似214毫米的范围内。

4.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述倾斜内壁沿着所述聚焦环的圆周部以等角度远离所述聚焦环的中心倾斜。

5.一种等离子体型半导体处理工具，包括：

处理腔室；

等离子体源，以在所述处理腔室中产生等离子体；以及

聚焦环，以在所述处理腔室中引导至少一部分等离子体，

其中所述聚焦环的内壁从所述聚焦环的中心向外倾斜，并且

其中所述聚焦环的内径和所述内壁的向外角度被配置为提供被引导至所述处理腔室中的晶片的等离子体蚀刻速率的均匀性。

6.根据权利要求5所述的等离子体型半导体处理工具，其特征在于，所述内壁沿着所述聚焦环的圆周部远离所述聚焦环的中心倾斜。

7.根据权利要求5所述的等离子体型半导体处理工具，其特征在于，所述向外角度相对于与所述内壁相邻的下部表面小于50度。

8.一种形成等离子体聚焦环的方法，包括：

形成等离子体聚焦环的底表面；

在所述底表面上方形成所述等离子体聚焦环的下部表面，使得所述等离子体聚焦环的内径在209毫米至214毫米的范围内；以及

在所述底表面上方且相邻于所述下部表面形成所述等离子体聚焦环的倾斜内壁，使得所述倾斜内壁相对于所述下部表面以小于50度的角度远离所述等离子体聚焦环的中心倾斜。

9.根据权利要求8所述的形成等离子体聚焦环的方法，还包括：

在所述倾斜内壁上方形成连接到所述倾斜内壁的所述等离子体聚焦环的顶表面；以及

形成连接到所述顶表面和所述底表面的所述等离子体聚焦环的外壁。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述顶表面包括：

将所述顶表面形成为宽度小于近似10毫米。