[发明专利]一种弱能量收集用肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210173481.0 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114464684A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 宋建军;张哲;戴显英;李家豪 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/167;H01L29/47;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安鼎迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61263 | 代理人： | 刘喜保 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种弱能量收集用肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；组分固定掺杂层，设置在缓冲层上，组分固定掺杂层为在Ge中掺杂Sn形成，其中Sn的组分为8％；组分渐变掺杂层，设置在组分固定掺杂层上，组分渐变掺杂层为在Ge中掺杂Sn形成，其中Sn的组分沿远离组分固定掺杂层的方向逐渐增大；金属阳极，设置在组分渐变掺杂层上；金属阴极，设置在组分固定掺杂层上。本发明通过在Ge半导体中掺杂Sn以及采用组分渐变的方式，降低了器件串联电阻。而且金属半导体接触处具备更低的势垒高度，降低了器件的开启电压。因而在整体上提升了肖特基二极管在弱能量密度下的整流效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能量 收集 用肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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