[发明专利]一种弱能量收集用肖特基二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种弱能量收集用肖特基二极管，其特征在于，包括：

衬底(101)；

缓冲层，设置在所述衬底(101)上；

组分固定掺杂层(104)，设置在所述缓冲层上，所述组分固定掺杂层(104)为在Ge中掺杂Sn形成，其中Sn的组分为8％；

组分渐变掺杂层(105)，设置在所述组分固定掺杂层(104)上，所述组分渐变掺杂层(105)为在Ge中掺杂Sn形成，其中Sn的组分沿远离所述组分固定掺杂层(104)的方向逐渐增大；

金属阳极(106)，设置在所述组分渐变掺杂层(105)上；

金属阴极(107)，设置在所述组分固定掺杂层(104)上。

2.根据权利要求1所述的一种弱能量收集用肖特基二极管，其特征在于，所述缓冲层包括：

第一缓冲层(102)，设置在所述衬底(101)上，所述第一缓冲层(102)为在低温环境下生长的Ge层；

第二缓冲层(103)，设置在所述第一缓冲层(102)上，所述第二缓冲层(103)为在高温环境下生长的Ge层。

3.根据权利要求1所述的一种弱能量收集用肖特基二极管，其特征在于，所述组分固定掺杂层(104)中注入有高掺杂的P离子，所述组分渐变掺杂层(105)中注入有低掺杂的P离子。

4.根据权利要求1所述的一种弱能量收集用肖特基二极管，其特征在于，所述衬底(101)使用Si制成，所述金属阳极(106)使用W制成，所述金属阴极(107)使用Al制成。

5.一种弱能量收集用肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：

制作衬底(101)；

在所述衬底(101)上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成组分固定掺杂层(104)，所述组分固定掺杂层(104)为在Ge中掺杂Sn形成，其中Sn的组分为8％；

在所述组分固定掺杂层(104)上形成组分渐变掺杂层(105)，所述组分渐变掺杂层(105)为在Ge中掺杂Sn形成，其中Sn的组分沿远离所述组分固定掺杂层(104)的方向逐渐增大；

在所述组分渐变掺杂层(105)上形成金属阳极(106)；

在所述组分固定掺杂层(104)上形成金属阴极(107)。

6.根据权利要求5所述的一种弱能量收集用肖特基二极管的制备方法，其特征在于，在所述衬底(101)上形成缓冲层之前，还对所述衬底(101)进行清洗。

7.根据权利要求5所述的一种弱能量收集用肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底(101)上形成缓冲层，包括：

在低温环境下在所述衬底(101)上沉积Ge，形成第一缓冲层(102)；

在高温环境下在所述第一缓冲层(102)上沉积Ge，形成第二缓冲层(102)。

8.根据权利要求5所述的一种弱能量收集用肖特基二极管的制备方法，其特征在于，在形成缓冲层、组分固定掺杂层(104)和组分渐变掺杂层(105)之后，均进行退火处理。

9.根据权利要求5所述的一种弱能量收集用肖特基二极管的制备方法，其特征在于，在形成所述组分固定掺杂层(104)后，还在所述组分固定掺杂层(104)中注入高掺杂的P离子；

在形成所述组分渐变掺杂层(105)后，还在所述组分渐变掺杂层(105)中注入低掺杂的P离子。

10.根据权利要求5所述的一种弱能量收集用肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述组分渐变掺杂层(105)在与所述组分固定掺杂层(104)接触的位置上Sn的组分为8％，所述组分渐变掺杂层(105)在与所述金属阳极(106)接触的位置上Sn的组分为20％。