[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
| 申请号： | 202210171497.8 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114975111A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 岩崎晃久;奥野泰利;鳅场真树 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法是对主面具有金属层的衬底进行处理。所述衬底处理方法包含：氧化金属层形成工序，通过向所述衬底的主面供给氧化性流体，而在所述金属层的表层形成含有1个原子层或数个原子层的氧化金属层；及氧化金属层去除工序，通过向所述衬底的主面供给含有气态水及雾态水中的至少任一个、以及和所述水一起与所述氧化金属层进行反应的反应性气体的蚀刻流体，而对所述氧化金属层进行蚀刻以将其从所述衬底选择性地去除。而且，通过执行至少1次以所述氧化金属层形成工序及所述氧化金属层去除工序为1个循环的循环处理，而在每次循环中以纳米以下的精度控制所述金属层的蚀刻量。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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