[发明专利]VDMOS电磁脉冲效应的仿真方法、系统及设备在审
| 申请号： | 202210158028.2 | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN114638187A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 杨静琦;周洁;姜来;马喆;朱云亮;肖柯;王智斌 | 申请（专利权）人： | 中国航天科工集团第二研究院 |
| 主分类号： | G06F30/36 | 分类号： | G06F30/36 |
| 代理公司： | 中国航天科工集团公司专利中心 11024 | 代理人： | 葛鹏 |
| 地址： | 100854 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了VDMOS电磁脉冲效应的仿真方法、系统、仿真设备及存储介质。涉及仿真技术领域。将ESD防护加入VDMOS器件的仿真结构中，使得VDMOS应对外界电磁脉冲的自身条件更接近现实，可有效指导VDMOS电磁脉冲防护设计。仿真方法包括：构建模型，模型包括仿真模型和对比模型，仿真模型包括第一VDMOS以及与第一VDMOS电连接的静电防护结构，对比模型包括第二VDMOS；对对比模型所包括的第二VDMOS施加电磁脉冲，并获得脉冲曲线，以仿真第二VDMOS栅氧层峰值电场与电磁脉冲的关系；对对比模型所包括的第二VDMOS所包括的栅氧层击穿的电磁脉冲阈值条件进行仿真，确定电磁脉冲阈值。对仿真模型所包括的电极施加电流脉冲，获得脉冲曲线，以仿真第一VDMOS栅氧层峰值电场与电磁脉冲的关系。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 电磁 脉冲 效应 仿真 方法 系统 设备 | ||
【主权项】：
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