[发明专利]一种双层复合低成本富锂锰基前驱体的制备方法在审
| 申请号: | 202210155173.5 | 申请日: | 2022-02-21 |
| 公开(公告)号: | CN114455648A | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
| 发明(设计)人: | 许益伟;曹栋强;龚丽锋;方明;郝培栋;曹天福;苏方哲;李晓升;邓明;曾启亮;丁何磊;陈艳芬;柴冠鹏;张旭;王博;周忍朋;郑红;韩宇航;张伟伟 | 申请(专利权)人: | 浙江格派钴业新材料有限公司 |
| 主分类号: | C01G53/00 | 分类号: | C01G53/00;H01M4/50;H01M4/505;H01M10/0525 |
| 代理公司: | 绍兴市越兴专利事务所(普通合伙) 33220 | 代理人: | 沈兰兰 |
| 地址: | 312000 浙江省绍兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: |
一种双层复合低成本富锂锰基前驱体的制备方法,属于锂电池材料制备技术领域。所述富锂锰基前驱体通式为(Ni |
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| 搜索关键词: | 一种 双层 复合 低成本 富锂锰基 前驱 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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