[发明专利]氮化镓高电子移导率晶体管的结构及其制程方法在审
| 申请号： | 202210155060.5 | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN116666448A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 薛光博 | 申请（专利权）人： | 南京绿芯集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L21/768;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 郭仁建;刘尧 |
| 地址： | 211806 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有深蚀刻制程方式将常关型或常开型氮化镓高电子移导率晶体管的电极金属连接背金属的制程整合方法，可以将源极、闸极或汲极这三个电极，单一个或多个电极，连接到背金属的位置。方法为：将想要连接到背金属的电极，利用多一道深蚀刻的制程技术，利用金属接线到背金属。如此上层不需要再有电极打线区(PAD)位置，可以减少组件布局的面积，并利用背金属连接封装框架基岛，减少打线寄生效应。本发明提出的新结构是将常关型或常开型氮化镓高电子移导率晶体管的电极金属与背金属相连接的设计。此项制程整合的技术，不但可以降低布局的面积，也可以减少组件封装上的寄生效应，更可以让组件在封装打在线更为简略。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 电子 移导率 晶体管 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
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