[发明专利]一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210153467.4 | 申请日： | 2022-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN114388624A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 尹玉春 | 申请（专利权）人： | 上海昱率科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 201306 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件形成在半导体基板上，所述半导体基板包括元胞区和终端区，所述半导体基板包括：衬底；位于衬底上方的第一导电类型的外延层；多个第二导电类型的第一柱体，位于所述第一导电外延层内，所述第二导电类型的第一柱体和外延层中的对应第一导电类型的第二柱体形成多组PN柱对，在半导体基板内形成超结结构；第二导电类型的注入阱区，形成在所述第一柱体的正上方；绝缘氧化层，设置在所述第二柱体的正下方。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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