[发明专利]一种钙钛矿电池中铜锌锗硫空穴传输层的制备方法及包含该空穴传输层的钙钛矿电池在审

专利信息
申请号: 202210147442.3 申请日: 2022-02-17
公开(公告)号: CN114649481A 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 程念;李委委;刘振;余振;刘江峰;涂友超 申请(专利权)人: 信阳师范学院
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42;C01G17/00;B82Y30/00
代理公司: 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 代理人: 张立强
地址: 464000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明属于光电子材料与器件领域,具体涉及一种钙钛矿电池中铜锌锗硫空穴传输层的制备方法及包含该空穴传输层的钙钛矿电池。首先使用一锅法合成得到铜锌锗硫纳米晶;然后使用正己烷和乙醇对铜锌锗硫纳米晶进行清洗;接着使用己硫醇对铜锌锗硫纳米晶进行表面处理;最后将处理后的铜锌锗硫纳米晶分散到己硫醇中,通过旋涂的方法沉积到钙钛矿薄膜表面,在100℃下加热干燥,得到铜锌锗硫空穴传输层。基于该铜锌锗硫空穴传输层的碳对电极钙钛矿电池,由下至上依次为透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、铜锌锗硫空穴传输层和碳对电极,其光电转换效率可以达到18.02%,同时该结构的电池表现出优异的稳定性。
搜索关键词: 一种 钙钛矿 电池 中铜锌锗硫 空穴 传输 制备 方法 包含
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