[发明专利]一种增强型MIS-GaN器件在审
| 申请号： | 202210146339.7 | 申请日： | 2022-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN114520262A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 易波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种增强型MIS‑GaN器件，用于解决现有增强型GaN器件存在的如阈值电压低、栅压摆幅窄、栅极漏电大、阈值电压受p‑GaN或p‑AlGa N掺杂浓度影响等诸多问题。本发明利用宽禁带P型或N型半导体耗尽其下方的高浓度二维电子气，同时，在宽禁带半导体上设置介质层、介质层上设置金属栅电极，从而形成宽禁带半导体层/绝缘介质层/金属栅极的三层特殊MIS结构；基于该特殊MIS结构，使得本发明增强型MIS‑GaN器件具有阈值电压高、栅压摆幅大、栅极漏电低、沟道比导通电阻小、阈值电压一致性高、工艺简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 mis gan 器件 | ||
【主权项】：
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