[发明专利]一种用于耗尽型GaN HEMT器件堆叠封装方法在审
| 申请号： | 202210141635.8 | 申请日： | 2022-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN114551249A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 顾岚雁;林河北;梅小杰;解维虎;覃尚育;陈永金 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/34;H01L25/18;H01L29/778;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 何耀平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于耗尽型GaNHEMT器件堆叠封装方法，通过将耗尽型GaNHEMT器件通过机械减薄得到芯片的晶圆，并将晶圆切割至预设尺寸，将胶带贴在晶圆的背面且用铁圈固定起来，采用晶片切割机将晶圆片切成一颗颗芯片，将切割后的芯片放置在导线架或基板中的晶片座上，并以银浆或金‑硅共晶黏合法黏住固定送至烘烤，烘烤完成后送入压焊机物料轨道，先用铝线后用铜线进行压焊得到待封装器件，将待封装器件的栅极和启动管的源极分别使用金属加厚并进行键合形成用于耗尽型GaNHEMT器件的堆叠封装结构，通过在芯片上堆叠封装Si增强型VDMOS，大大增加了功率器件芯片的热耗散，提高了器件工作的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 耗尽 gan hemt 器件 堆叠 封装 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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