[发明专利]等离子体处理装置的检查方法在审
| 申请号： | 202210136498.9 | 申请日： | 2022-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN115116874A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 吉森大晃;嘉瀬庆久;中泽和辉 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 严罗一;臧建明 |
| 地址： | 日本神奈川县横浜市荣区笠间二*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可准确地进行检查用晶片上的粒子的测定的等离子体处理装置的检查方法。实施方式的等离子体处理装置的检查方法包括：利用搬送部从第二腔室向第一腔室搬送检查用晶片的工序；在利用所述搬送部进行的所述检查用晶片向所述第一腔室的搬送结束后，向所述第二腔室的内部供给气体的工序；在所述第一腔室内对所述检查用晶片进行等离子体处理的工序；利用所述搬送部从所述第一腔室向所述第二腔室搬送检查用晶片的工序；在利用所述搬送部进行的所述检查用晶片向所述第二腔室的搬送结束后，向所述第二腔室的内部供给所述气体的工序；以及对附着于从所述第二腔室搬出的所述检查用晶片的粒子进行测定的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 检查 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
