[发明专利]方波热成像测量低热导率材料内部缺陷深度的方法有效
| 申请号： | 202210134543.7 | 申请日： | 2022-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN114487015B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 陶宁;吴卓桥;王黎;祁劲容;马奕娇;杨雪;张存林 | 申请（专利权）人： | 首都师范大学 |
| 主分类号： | G01N25/72 | 分类号： | G01N25/72;G01B11/06;G01B11/22 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 100048 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种方波热成像测量低热导率材料内部缺陷深度的方法，包括：S1利用加热设备对被检测物体的表面进行预设时长的加热，并通过红外热像仪按照预设的采集频率对被检测物体表面加热前至降温结束过程的热图序列进行采集；S2根据热图序列中的温度随时间变化的数据提取每个像素点温度下降阶段随时间变化的曲线；S3对温度随时间变化的曲线乘以 |
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| 搜索关键词： | 方波 成像 测量 低热 材料 内部 缺陷 深度 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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