[发明专利]一种增强型GaN基HEMT器件、其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202210128236.8 | 申请日： | 2022-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN114464677A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 郭炜;赵紫辉;叶继春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L27/085;H01L29/51 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型GaN基HEMT器件、其制备方法与应用。所述HEMT器件包括外延结构，包括第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层之间形成有二维电子气；以及形成在所述第二半导体层上的源极、漏极和栅极，所述源极和漏极能够通过所述二维电子气电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间；其中，在所述栅极和第二半导体层之间还设置有铁电层，所述铁电层由六方晶型的铁电材料形成，其至少用于耗尽所述栅极下方的二维电子气，从而实现HEMT器件增强型功能和阈值电压的调控。本发明中提供的一种结合六方晶型的铁电材料制备而成的增强型GaN基HEMT器件，阈值电压稳定性好，制备工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 gan hemt 器件 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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