[发明专利]半导体器件及包括半导体器件的数据存储系统在审

专利信息
申请号: 202210123517.4 申请日: 2022-02-09
公开(公告)号: CN114944398A 公开(公告)日: 2022-08-26
发明(设计)人: 金钟秀;沈善一;林周永;赵源锡 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/1157 分类号: H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴晓兵
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体器件,包括:图案结构上的存储单元阵列区和阶梯区;堆叠结构,包括在竖直方向上交替地堆叠的绝缘层和具有栅焊盘的栅层;分离结构,穿透所述堆叠结构并且接触所述图案结构;存储竖直结构,穿透所述堆叠结构并且接触所述图案结构;支撑竖直结构,穿透所述堆叠结构并且接触所述图案结构;栅接触插塞,设置在所述栅焊盘上;以及外围接触插塞,与所述栅层间隔开,其中,所述存储竖直结构的上表面在第一高度处,所述外围接触插塞的上表面在第二高度处,所述分离结构的上表面在第三高度处,并且所述栅接触插塞的上表面在第四高度处。
搜索关键词: 半导体器件 包括 数据 存储系统
【主权项】:
暂无信息
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