[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置

摘要

本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够提高氧化硅膜相对于蚀刻停止层的蚀刻选择比。蚀刻方法包括工序(a)，在工序(a)中，在腔室内准备具有氧化硅膜的基板。基板具备配置在氧化硅膜内的多个蚀刻停止层。氧化硅膜的厚度方向上的多个蚀刻停止层的位置互不相同。多个蚀刻停止层各自包含钨和钼中的至少一方。蚀刻方法还包括：工序(b)，向腔室内供给处理气体，该处理气体包含含有钨和钼中的至少一方的气体、含有碳和氟的气体、以及含氧气体；以及工序(c)，从处理气体生成等离子体来蚀刻氧化硅膜，由此在氧化硅膜形成分别到达多个蚀刻停止层多个凹部。